RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
7.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1683
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link