RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2914
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link