RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2914
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link