RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2155
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link