RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
71
Autour de -209% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3208
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link