RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
71
94
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.4
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
94
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
1390
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link