RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
94
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
94
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1390
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link