RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
71
Autour de -137% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2982
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link