RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
71
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2486
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Mushkin 991586 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-CG 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link