RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
71
Autour de -223% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3222
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link