RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
71
Autour de -209% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3810
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link