RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
71
Autour de -209% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.7
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.2
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
20.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
20.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
4247
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link