RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
71
Autour de -54% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
46
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
1854
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link