RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
71
Autour de -87% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2316
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link