RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
71
Autour de -87% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2316
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link