RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
71
Autour de -196% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2904
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link