RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2904
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link