RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
71
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
37
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2973
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link