RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
71
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2973
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link