RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
71
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2973
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link