RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
71
Autour de -122% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2349
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link