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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2563
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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