RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2563
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link