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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2563
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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