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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Différences
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Raisons de considérer
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3909
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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