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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
13.7
19.6
写入速度,GB/s
9.6
16.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3909
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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