RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
19.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3909
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link