Comparaison de la RAM Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Note globale

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 35

Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.6 13.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.1 9.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 12800

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2312 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns