Porównanie pamięci RAM Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Wynik ogólny

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 35

Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.6 13.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.1 9.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2312 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns