RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
3717
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaison des RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link