RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
39
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
22
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3295
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link