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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3119
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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