RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
39
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
3119
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link