RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
45
Autour de 40% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
45
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2556
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link