RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2556
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link