PNY Electronics PNY 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Note globale
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Note globale
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 30
    Autour de 10% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.8 left arrow 11.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.8 left arrow 11.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2274 left arrow 1254
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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