PNY Electronics PNY 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB против ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 30
    Около 10% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.8 left arrow 11.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 6.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 11.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 6.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 1254
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения