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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3510
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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