RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3510
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link