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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2690
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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