RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3299
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link