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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2507
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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