RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2601
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link