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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2601
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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