RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
20.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
4033
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link