RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3701
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link