RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
4506
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link