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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
21.3
写入速度,GB/s
8.4
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
4506
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
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