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PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3245
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
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