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PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3245
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-110.A00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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