RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2104
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link