RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2104
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link