PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Note globale
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 37
    Autour de 27% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.8 left arrow 9.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 7.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 37
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.8 left arrow 9.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 7.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2274 left arrow 1949
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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